Electrónica de Potencia/TRIAC/Parámetros Caracteristicos

En este capítulo explicaremos cuales son los parámetros característicos que definen al TRIAC y que podremos encontrar en un DataSheet. No en todos los datasheet encontraremos todos los parámetros, pero en general estos son los mas comunes.
Pondremos de ejemplo los valores del FKPF8N80 de Fairchild Semiconductor. Aqui podemos encontrar su DataSheet

• V_DRM: Es el voltaje repetitivo de pico máximo que soporta el dispositivo. 800V
• V_DSM: Es el voltaje repetitivo de pico máximo permitido en condiciones de pulso que soporta el dispositivo. No proporcionada
• I_T(RMS): Intensidad soportada en estado de conducción para una determinada temperatura. 8A.
• I_T(AV): Intensidad media maxima soportada en estado de conducción para una determinada temperatura. No proporcionada
• I_TSM: Intensidad maxima de pico permitida por el dispositivo en condiciones de pulso. Para TRIACs esta definida por un ciclo completo de una senoidal de periodo 20ms.
• di/dt: Es el ratio máximo de incremento de corriente durante la conmutación. 80A para 50Hz, 88A para 60Hz.
• I²_t: Para proteger el dispositivo, el fusible ha de tener una característica menor que la indicada por este parametro. VA ligada al I_TSM
• T_stg: Es la temperatura de almacenamiento, mientras el dispositivo no esta funcionando. 32A²s.
• I_GM: Corriente pico para la puerta. 2A.
• _PG(AV): Disipación de potencia de la puerta media. 0.5W
• V_RGM: Tension Inversa de pico soportada por la puerta. No proporcionada
• V_GM:Tension de pico de la puerta con respecto a COM. 10V
• P: Potencia disipada media. No proporcionada
• I_GT: Corriente de puerta. 30mA
• V_GT: Tension de puerta. 1.5V
• V_GD: Es la tension maxima que se puede aplicar entre puerta y uno de los terminales sin causar un encendido del dispositivo accidental. 0.2V
• I_H: Corriente de mantenimiento 50mA.
• I_L: Corriente de enganche 50mA
• V_TM: Caida de voltaje en el dispositivo mientras se encuentra en conduccion. 1.5V
• V_F: Voltaje a través de un diodo cuando esta en conducción.
• V_to/Rd: Tensión umbral. Resistencia dinamica en estado de ON.
• I_DRM/I_RRM: Corriente que circula por el dispositivo cuando se encuentra en estado de OFF. 20uA
• t_gt: Tiempo de conmutación a ON.
• t_q: Tiempo de conmutacion a OFF.
• t_d: Tiempo de delay.
• t_ᵨ: Tiempo de subida.
• V_BR: Tensión de ruptura.
• ⍺T: Coeficiente de temperatura.

En los datasheet tambien encontraremos diferentes gráficas, que nos mostrarán lo siguiente:

• Maximos valores de tension y corriente para distintas temperaturas
• Maximos valores de corriente soportados por numero de ciclos
• Caracteristicas de puerta (tension vs corriente)
• Tension en puerta frente a Tj
• Corriente en puerta frente a Tj
• Impedancia dependiendo de la temperatura del dispositivo
• Diferentes curvas que representan valores de voltaje y corriente por ciclo maximos soportados segun la temperatura del dispositivo.

También encontraremos una descripcion fisica del encapsulado, asi como medidas normalizadas.