Electrónica de Potencia/IGBT
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Dispositivo híbrido entre el transistor bipolar (BJT) y el MOSFET. Entrada como MOS y salida como BJT.
- Estructura y principio de funcionamiento
- Parámetros característicos de funcionamiento
- Problemas de diseño
Texto completo de este capítulo
Esta página contiene todo el texto del capítulo de «IGBT»
Plantilla:Electrónica de Potencia