Electrónica de Potencia/IGBT

Dispositivo híbrido entre el transistor bipolar (BJT) y el MOSFET. Entrada como MOS y salida como BJT.

• Estructura y principio de funcionamiento
• Parámetros característicos de funcionamiento
• Problemas de diseño

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IGBT 
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Esta página contiene todo el texto del capítulo de «IGBT» Plantilla:Electrónica de Potencia