Sistemas de Memoria Secundaria/Soportes Electrónicos

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Los soportes electrónicos actuales están basados prácticamente todos en memorias ROM FLASH NAND, cuyas ventajas superan los inconvenientes de las mismas. Los distintos soportes se distinguen por varios factores:

  • Calidad de la memoria.
  • Interfaz.
  • Disposición de la circuitería.
  • Capacidad de dicha memoria.

Calidad y capacidad[editar]

Para la fabricación de la memoria flash nand se utilizan tres técnicas distintas, cada una de las cuales varía la capacidad de las celdas de memoria y también la velocidad a la que son accedidas.

  • Memorias SLC (Single Level Cell) Memorias de un sólo nivel: Un sólo bit por celda. Esto aumenta la calidad, la velocidad y el precio de la memoria.
  • Memorias MLC (Multi Level Cell) Memorias multinivel. Alamacenan dos bits por celda, abaratando su funcionamiento. Son las más utilizadas.
  • Memorias TLC (Triple Level Cell) Almacenan 'tres bits' por celda. Son las más lentas y de peor calidad.

Interfaz[editar]

La interfaz para este tipo de memorias es también un límite real. La capacidad de un bus USB, un lector SD o un conector SATA limitan la capacidad real a la que esta memoria puede funcionar.

Tecnologías utilizadas[editar]

Los discos SSD utilizan por ejemplo una tecnología que permite leer y escribir en bloque de forma simultánea múltiples celdas, aumentando su velocidad notablemente.